高二化學(xué)物質(zhì)結(jié)構(gòu)知識(shí)點(diǎn)

高二化學(xué)物質(zhì)結(jié)構(gòu)知識(shí)點(diǎn)

　　認(rèn)識(shí)化學(xué)與生活改善，了解生產(chǎn)發(fā)展、社會(huì)進(jìn)步與化學(xué)的關(guān)系。下面是學(xué)習(xí)啦小編為大家整理的高二化學(xué)物質(zhì)結(jié)構(gòu)知識(shí)點(diǎn)，希望對(duì)大家有所幫助。

　　高二化學(xué)物質(zhì)結(jié)構(gòu)知識(shí)點(diǎn)(一)

　　原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)原子核：同位素、原子量——物理性質(zhì)

　　(1)原子(AZX)核外電子——化學(xué)性質(zhì)

　　(2)元素的化學(xué)性質(zhì)主要由原子最外層電子數(shù)和原子半徑?jīng)Q定。 例如：最外層電子數(shù)相等，半徑不等(同主族元素)，性質(zhì)出現(xiàn)遞變性;

　　Li和Mg、Be和Al的最外層電子數(shù)不等，半徑相近，性質(zhì)相似。

　　(3)原子核外電子排布(掌握1～36號(hào)元素)

　?、?能量最低原理：電子先排能量低的能層和能級(jí)，然后由里往外排能量高的(能層和能級(jí)均影響電子的能量)。

　?、?泡里不相容原理：每個(gè)原子軌道上最多排2個(gè)自旋相反的電子，即原子核外沒有2個(gè)電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)完全相同。

　?、?洪特規(guī)則：電子在能量相同的各個(gè)軌道上排布時(shí)，電子盡可能分占不同的原子軌道;

　　當(dāng)軌道上電子呈半滿、全滿或全空時(shí)，體系能量最低。

　　高二化學(xué)物質(zhì)結(jié)構(gòu)知識(shí)點(diǎn)(二)

　　1、 極性分子和非極性分子的判斷

　　2、 電子排布式：基態(tài)原子、離子、價(jià)電子 元素電離能大小、規(guī)律判斷。IIA—IIIA,VA—VIA族的特性及元素化合價(jià)的判斷。

　　3、 元素電負(fù)性大小判斷及其應(yīng)用。

　　4、 晶體的空間構(gòu)型及雜化軌道數(shù)的判斷。

　　5、 四種晶體類別的判斷

　　6、 晶體溶沸點(diǎn)高低的判斷及解釋

　　7、 σ鍵和π鍵的相關(guān)知識(shí)。

　　8、 化學(xué)鍵和氫鍵的相關(guān)知識(shí)。

　　9、 配位鍵和配位化合物的相關(guān)知識(shí)。物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)知識(shí)點(diǎn)

　　高二化學(xué)物質(zhì)結(jié)構(gòu)知識(shí)點(diǎn)(三)

　　晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)——物理性質(zhì)

　　(1)晶體類型及其性質(zhì)

　　(2)晶體熔、沸點(diǎn)高低的比較一般規(guī)律：原子晶體>離子晶體>分子晶體。

　　① 離子晶體：離子晶體的晶格能越大，則離子鍵越強(qiáng)，晶體熔、沸點(diǎn)越高。 晶格能比較：陰、陽離子所帶電荷越多，半徑越小，則晶格能越大。 例如：MgO>NaCl(Mg2+半徑小，所帶電荷多)。

　　FeO>NaCl(Fe2+與Cl–電子層數(shù)相同，O2–與Na+電子層數(shù)相同，但FeO中離子所帶電荷數(shù)多)

　　② 分子晶體：組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，晶體的熔、沸點(diǎn)越高。

　　例如：F2

　　此外，當(dāng)分子形成分子間氫鍵時(shí)，分子晶體的熔、沸點(diǎn)升高。 例如：NH3、H2O、HF的熔、沸點(diǎn)均比同主族下一周期的氫化物來的高。