iphone6的運行內(nèi)存怎么樣
iphone6的運行內(nèi)存怎么樣
蘋果公司1980年12月12日公開招股上市,2012年創(chuàng)下6235億美元的市值記錄,截至2014年6月,蘋果公司已經(jīng)連續(xù)三年成為全球市值最大公司。下面是學(xué)習(xí)啦小編帶來的關(guān)于iphone6的運行內(nèi)存怎么樣的內(nèi)容,歡迎閱讀!
iphone6的運行內(nèi)存怎么樣:
其實蘋果的運行內(nèi)存可以說是很棒,主要是因為他的優(yōu)化做得好。
其實這個問題對于iPhone用戶來說并沒有太大的必要,因為每次發(fā)布會上,蘋果從來都是只強調(diào)用戶體驗,忽略硬件參數(shù),官方甚至都不會給更具體的參數(shù)配置,如果你習(xí)慣了安卓飆硬件的那一套,那么iPhone的配置你“簡直”沒法看。
回到問題本身上,1GB內(nèi)存對于現(xiàn)階段iPhone來說沒有太大的問題,如果你老是對1GB內(nèi)存耿耿于懷的話,那就要另當別論。
為什么同樣是1GB內(nèi)存,Android手機會卡,甚至內(nèi)存上升至2GB,如果優(yōu)化不到位還會有卡的情況,簡單明了的說還是,兩者內(nèi)存機制有著本質(zhì)的區(qū)別。
之前的調(diào)查已經(jīng)很清楚的展示了兩者的最本質(zhì)差別,Android手機應(yīng)用都是通過Java來完成,關(guān)閉應(yīng)用時需要涉及一個過程,即Java垃圾收集機制(garbage collection),也就是說如果一個用戶要關(guān)閉應(yīng)用,在這中間Java垃圾收集需要大量的內(nèi)存來工作(大約是4-8倍),如果機器本身內(nèi)存不夠它調(diào)配的話,速度自然就慢下來了。
反觀iPhone常年1GB內(nèi)存,iOS系統(tǒng)本身不會不會涉及所謂的垃圾收集機制,所以這也是兩者卡不卡最本質(zhì)的區(qū)別。
iPhone6 Plus的運存內(nèi)存是1GB RAM,存儲容量方面則提供16GB/64GB/128GB ROM。
硬件方面,iPhone6 Plus采用蘋果A8+M8運動協(xié)處理器,主頻為1.4GHz。iPhone6 Plus背后天線系統(tǒng)覆蓋到機身中框,弧面的金屬中框不僅加強機身整體圓潤感,平衡機身設(shè)計美學(xué)的同時,也減少手機不慎跌落時對機身的緩沖力。
iPhone6 Plus采用了一顆800萬像素的攝像頭,每個像素大小1.5微米,最大光圈f/2.2,并采用全新傳感器,保留了雙色溫閃光燈之外還內(nèi)置了全新的對焦技術(shù)。iPhone6 Plus加入了光學(xué)防抖功能,使防抖能力以及弱光拍攝表現(xiàn)得到很大提升。
系統(tǒng)方面,iPhone6 Plus搭載iOS 8系統(tǒng)。雖然的界面風(fēng)格上與iOS7區(qū)別不大,但iOS8系統(tǒng)更加開放與人性化。在鎖屏狀態(tài)下送短消息時,支持在鎖屏狀態(tài)下直接回復(fù)短信。另外在多任務(wù)欄,也可直接顯示最近的聯(lián)系人名片,并支持自定義編輯。可以直接給他們發(fā)郵件、打電話等,大大增強了iOS的效率。
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對于細心的讀者,可能還會發(fā)現(xiàn)一個問題:即是對于裝有1MB或1MB以上物理存儲器的機器,其640KB~1024KB這部分物理存儲器如何使用的問題。由于這部分地址空間已分配為系統(tǒng)使用,所以不能再重復(fù)使內(nèi)存用。為了利用這部分物理存儲器,在某些386系統(tǒng)中,提供了一個重定位功能,即把這部分物理存儲器的地址重定位為1024KB~1408KB。這樣,這部分物理存儲器就變成了擴展存儲器,當然可以使用了。但這種重定位功能在當今高檔機器中不再使用,而把這部分物理存儲器保留作為Shadow存儲器。Shadow存儲器可以占據(jù)的地址空間與對應(yīng)的ROM是相同的。Shadow由RAM組成,其速度大大高于ROM。當把ROM中的內(nèi)容(各種BIOS程序)裝入相同地址的Shadow RAM中,就可以從RAM中訪問BIOS,而不必再訪問ROM。這樣將大大提高系統(tǒng)性能。因此在設(shè)置CMOS參數(shù)時,應(yīng)將相應(yīng)的Shadow區(qū)設(shè)為允許使用(Enabled)。
奇/偶校驗(ECC)是數(shù)據(jù)傳送時采用的一種校正數(shù)據(jù)錯誤的一種方式,分為奇校驗和偶校驗兩種。
如果是采用奇校驗,在傳送每一個字節(jié)的時候另外附加一位作為校驗位,當實際數(shù)據(jù)中“1”的個數(shù)為偶數(shù)的時候,這個校驗位就是“1”,否則這個校驗位就是“0”,這樣就可以保證傳送數(shù)據(jù)滿足奇校驗的要求。在接收方收到數(shù)據(jù)時,將按照奇校驗的要求檢測數(shù)據(jù)中“1”的個數(shù),如果是奇數(shù),表示傳送正確,否則表示傳送錯誤。
同理偶校驗的過程和奇校驗的過程一樣,只是檢測數(shù)據(jù)中“1”的個數(shù)為偶數(shù)。
CL反應(yīng)時間是衡定內(nèi)存的另一個標志。CL是CAS Latency的縮寫,指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時間,簡單的說,就是內(nèi)存接到CPU的指令后的反應(yīng)速度。一般的參數(shù)值是2和3兩種。數(shù)字越小,代表反應(yīng)所需的時間越短。在早期的PC133內(nèi)存標準中,這個數(shù)值規(guī)定為3,而在Intel重新制訂的新規(guī)范中,強制要求CL的反應(yīng)時間必須為2,這樣在一定程度上,對于內(nèi)存廠商的芯片及PCB的組裝工藝要求相對較高,同時也保證了更優(yōu)秀的品質(zhì)。內(nèi)存此在選購品牌內(nèi)存時,這是一個不可不察的因素。
還有另的詮釋:內(nèi)存延遲基本上可以解釋成是系統(tǒng)進入數(shù)據(jù)進行存取操作就序狀態(tài)前等待內(nèi)存響應(yīng)的時間。打個形象的比喻,就像你在餐館里用餐的過程一樣。你首先要點菜,然后就等待服務(wù)員給你上菜。同樣的道理,內(nèi)存延遲時間設(shè)置的越短,電腦從內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)的速度也就越快,進而電腦其他的性能也就越高。這條規(guī)則雙雙適用于基于英特爾以及AMD處理器的系統(tǒng)中。由于沒有比2-2-2-5更低的延遲,因此國際內(nèi)存標準組織認為以現(xiàn)在的動態(tài)內(nèi)存技術(shù)還無法實現(xiàn)0或者1的延遲。
通常情況下,我們用4個連著的阿拉伯數(shù)字來表示一個內(nèi)存延遲,例如2-2-2-5。其中,第一個數(shù)字最為重要,它表示的是CAS Latency,也就是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時間。第二個數(shù)字表示的是RAS-CAS延遲,接下來的兩個數(shù)字分別表示的是RAS預(yù)充電時間和Act-to-Precharge延遲。而第四個數(shù)字一般而言是它們中間最大的一個。
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