m標志內(nèi)存條是什么
現(xiàn)在市面上100%的主板生產(chǎn)大廠都已經(jīng)出產(chǎn)了不只一種的主板支持使用DDR內(nèi)存，雖然DDR與SDRAM在物理線數(shù)上存在著很大的分別，兩著理論上是不能共存的，可是有一些廠商為了能夠提高產(chǎn)品在市場上的存在價值和為了讓產(chǎn)品的競爭力提高，也生產(chǎn)了DDR與SDRAM都能夠使用的主板。這些主板總共擁有四條內(nèi)存插槽，兩條是專供DDR內(nèi)存使用，兩條是專供SDRAM內(nèi)存使用，通過主板上的跳線系統(tǒng)更換所屬方式。雖然不能將DDR與SDRAM混合使用，可也給用戶提供了兩種內(nèi)存購買的選擇。下面就由學習啦小編為大家整理的，供大家參考!
m標志的內(nèi)存條牌子的識別方法：
在選購內(nèi)存我們可以遵循以下三個性能標準：
時鐘頻率：它代表了DDR所能穩(wěn)定運行的最大頻率，也就是我們平時講的PC-1600和PC-2100等，它們分別表示可在200MHz和266MHz的時鐘頻率下穩(wěn)定運行。另外我們也要注意到，傳統(tǒng)的內(nèi)存規(guī)格命名是基于內(nèi)存的時鐘頻率，而現(xiàn)行的DDR內(nèi)存是基于傳輸速率命名的。實際上PC-1600和PC-2100按照SDRAM的劃分標準也就是相對應的PC-200和PC-266。
存取時間：存取時間代表了讀取數(shù)據(jù)所延遲的時間。以前人們有個誤區(qū)，認為它和系統(tǒng)時鐘頻率有著某種聯(lián)系，其實二者在本質上是有著顯著區(qū)別的，可以說完全是兩回事。例如SDRAM同樣是PC133的內(nèi)存，市面上有-7和-6的，它們的存取時間分別為7ns和6ns，但它們的時鐘頻率均為133MHz。存取時間和時鐘頻率不一樣，越小則越優(yōu)。在DDR內(nèi)存上亦一樣，各位一定要注意。
CAS的延遲時間：這是指縱向地址脈沖的反應時間，也是在一定頻率下衡量支持不同規(guī)范的內(nèi)存的重要標志之一。我們用CAS Latency(CL)這個指標來衡量。對于PC-1600和PC-2100的內(nèi)存來說，其規(guī)定的CL應該為2(即它讀取數(shù)據(jù)的延遲時間是兩個時鐘周期)，也就是說，它必須在CL=2的情況下穩(wěn)定工作在其工作頻率。
至于如何選購內(nèi)存條的優(yōu)劣也可以按照以下三個方法：
看品牌：和其他產(chǎn)品一樣，內(nèi)存芯片也有品牌的區(qū)別，不同品牌的芯片質量自然也是不同。一般來說，一些久負盛名的內(nèi)存芯片在出廠的時候都會經(jīng)過嚴格的檢測，而且在對一些內(nèi)存標準的解釋上也會有所不同。另外一些名牌廠商的產(chǎn)品通常會給最大時鐘頻率留有一定的寬裕空間，所以有的人說超頻是檢驗內(nèi)存好壞的一種方法也不無道理。
看類型：現(xiàn)時的DDR內(nèi)存已經(jīng)不像當初的SDRAM那樣可以將EDO RAM內(nèi)存芯片REMARK成DSRAM，基本上分清楚有184pins的內(nèi)存條就不會買錯了，而且DDR比SDRAM在PCB板上是多了一個缺口的，也就是他有兩個缺口而SDRAM只有一個。
看PCB(印刷電路板)：剛才已經(jīng)說過，內(nèi)存條由內(nèi)存芯片和PCB組成。順理成章PCB對內(nèi)存性能也有著很大的影響。決定PCB好壞有幾個因素，首先就是板材，一般來說，如果內(nèi)存條使用四層板，這樣內(nèi)存條在工作過程中由于信號干擾所產(chǎn)生的雜波就會很大，有時會產(chǎn)生不穩(wěn)定的現(xiàn)象。而使用六層板設計的內(nèi)存條相應的干擾就會小得多。當然，并不是所有的東西都是我們的肉眼能觀察到的，比如內(nèi)部布線等只能通過試用才能發(fā)覺其好壞，但我們還是能看出一些端倪：比如好的內(nèi)存條表面有比較強的金屬光潔度，色澤也比較均勻，部件焊接也比較整齊劃一，沒有錯位;金手指部分也比較光亮，沒有發(fā)白或者發(fā)黑的現(xiàn)象。
三星電子日前成功開發(fā)300MHz 128Mb(32枚4Mb的顆粒)的雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM(DDR SDRAM)，該產(chǎn)品代碼為K4D263238A-GC33。這款新型產(chǎn)品主要應用于支持高級圖形處理和高速視頻軟件。該產(chǎn)品的配置是32枚4Mb的顆粒，工作頻率為300兆赫，傳輸數(shù)據(jù)的速度為600Mbps，每秒可處理2.4G字節(jié)，是目前全世界最高速度的DDR SDRAM。不久前三星剛推出代碼為K4D623238B-GC33的64Mb(4Mb x 16) DDR SDRAM，此次為上款產(chǎn)品的升級。
內(nèi)存生產(chǎn)廠商金邦科技日前推出容量為128M的DDR內(nèi)存。由于在系統(tǒng)時鐘的上升沿和下降沿都會傳輸數(shù)據(jù)，因此DDR內(nèi)存的帶寬是普通SDRAM的兩倍。金邦DDR 266 128M采用8顆16M內(nèi)存顆粒，封裝形式是TSOP Ⅱ封裝，184 PIN。內(nèi)存的顆粒上印有金邦科技特有的“金”字標簽，便于消費者購買時識別。和金邦金條一樣，金邦科技對金邦DDR 266提供“終身保固”、“不良品只換不修”的守候服務承諾。