看外表怎么辨別內(nèi)存條的大小
很多人走知道怎么通過電腦查看內(nèi)存條的大小，那么你知道怎樣看外表辨別內(nèi)存條的大小。不知道的話跟著學(xué)習(xí)啦小編一起來學(xué)習(xí)了解看外表辨別內(nèi)存條的大小的方法。
怎樣看外表辨別內(nèi)存條的大小
內(nèi)存條可以通過查看內(nèi)存顆粒的型號(hào)來確認(rèn)其容量大小。
下面就以幾個(gè)大廠的內(nèi)存顆粒編碼規(guī)則為例來說明內(nèi)存容量的辨識(shí)方法。
三星內(nèi)存顆粒
目前使用三星的內(nèi)存顆粒來生產(chǎn)內(nèi)存條的廠家非常多，在市場(chǎng)上有很高的占有率。由于其產(chǎn)品線龐大，所以三星內(nèi)存顆粒的命名規(guī)則非常復(fù)雜。三星內(nèi)存顆粒的型號(hào)采用一個(gè)16位數(shù)字編碼命名的。這其中用戶更關(guān)心的是內(nèi)存容量和工作速率的識(shí)別，所以我們重點(diǎn)介紹這兩部分的含義。
編碼規(guī)則：K 4 X X X X X X X X - X X X X X
主要含義：
第1位——芯片功能K，代表是內(nèi)存芯片。
第2位——芯片類型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更進(jìn)一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內(nèi)存采用不同的刷新速率，也會(huì)使用不同的編號(hào)。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。
第6、7位——數(shù)據(jù)線引腳個(gè)數(shù)，08代表8位數(shù)據(jù);16代表16位數(shù)據(jù);32代表32位數(shù)據(jù);64代表64位數(shù)據(jù)。
第11位——連線“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60為6ns;70為 7ns;7B為7.5ns (CL=3);7C為7.5ns (CL=2) ;80為 8ns;10 為10ns (66MHz)。
知道了內(nèi)存顆粒編碼主要數(shù)位的含義，拿到一個(gè)內(nèi)存條后就非常容易計(jì)算出它的容量。例如一條三星DDR內(nèi)存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號(hào)第4、5位“28”代表該顆粒是128Mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位數(shù)據(jù)帶寬，這樣我們可以計(jì)算出該內(nèi)存條的容量是128Mbits(兆數(shù)位) × 16片/8bits=256MB(兆字節(jié))。
注：“bit”為“數(shù)位”，“B”即字節(jié)“byte”，一個(gè)字節(jié)為8位則計(jì)算時(shí)除以8。關(guān)于內(nèi)存容量的計(jì)算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC內(nèi)存，每8片8位數(shù)據(jù)寬度的顆粒就可以組成一條內(nèi)存;另一種ECC內(nèi)存，在每64位數(shù)據(jù)之后，還增加了8位的ECC校驗(yàn)碼。通過校驗(yàn)碼，可以檢測(cè)出內(nèi)存數(shù)據(jù)中的兩位錯(cuò)誤，糾正一位錯(cuò)誤。所以在實(shí)際計(jì)算容量的過程中，不計(jì)算校驗(yàn)位，具有ECC功能的18片顆粒的內(nèi)存條實(shí)際容量按16乘。在購(gòu)買時(shí)也可以據(jù)此判定18片或者9片內(nèi)存顆粒貼片的內(nèi)存條是ECC內(nèi)存。
Micron內(nèi)存顆粒
Micron(美光)內(nèi)存顆粒的容量辨識(shí)相對(duì)于三星來說簡(jiǎn)單許多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75這個(gè)編號(hào)來說明美光內(nèi)存的編碼規(guī)則。
含義：
MT——Micron的廠商名稱。
48——內(nèi)存的類型。48代表SDRAM;46 代表DDR。
LC——供電電壓。LC代表3V;C 代表5V;V 代表2.5V。
16M8——內(nèi)存顆粒容量為128Mbits，計(jì)算方法是：16M(地址)×8位數(shù)據(jù)寬度。
A2——內(nèi)存內(nèi)核版本號(hào)。
TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。
-75——內(nèi)存工作速率，-75即133MHz;-65即150MHz。
實(shí)例：一條Micron DDR內(nèi)存條，采用18片編號(hào)為MT46V32M4-75的顆粒制造。該內(nèi)存支持ECC功能。所以每個(gè)Bank是奇數(shù)片內(nèi)存顆粒。
其容量計(jì)算為：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB(兆字節(jié))。
西門子內(nèi)存顆粒
目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上西門子的子公司Infineon生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號(hào)中詳細(xì)列出了其內(nèi)存的容量、數(shù)據(jù)寬度。Infineon的內(nèi)存隊(duì)列組織管理模式都是每個(gè)顆粒由4個(gè)Bank組成。所以其內(nèi)存顆粒型號(hào)比較少，辨別也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”標(biāo)識(shí)的是該顆粒的容量，后三位標(biāo)識(shí)的是該內(nèi)存數(shù)據(jù)寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits;HYB39S128160即128MB/16bits;HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon內(nèi)存顆粒工作速率的表示方法是在其型號(hào)最后加一短線，然后標(biāo)上工作速率。
-7.5——表示該內(nèi)存的工作頻率是133MHz;
-8——表示該內(nèi)存的工作頻率是100MHz。
例如：
1條Kingston的內(nèi)存條，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計(jì)算為： 128Mbits(兆數(shù)位)×16片/8=256MB(兆字節(jié))。
1條Ramaxel的內(nèi)存條，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計(jì)算為： 128Mbits(兆數(shù)位) × 8 片/8=128MB(兆字節(jié))。
Kingmax內(nèi)存顆粒
Kingmax內(nèi)存都是采用TinyBGA封裝(Tiny ball grid array)。并且該封裝模式是專利產(chǎn)品，所以我們看到采用Kingmax顆粒制作的內(nèi)存條全是該廠自己生產(chǎn)。Kingmax內(nèi)存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內(nèi)存顆粒型號(hào)列表出來。
容量備注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間 × 4位數(shù)據(jù)寬度;
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間 × 8位數(shù)據(jù)寬度;
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間 × 4位數(shù)據(jù)寬度;
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間 × 8位數(shù)據(jù)寬度;
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空間 × 16位數(shù)據(jù)寬度。
Kingmax內(nèi)存的工作速率有四種狀態(tài)，是在型號(hào)后用短線符號(hào)隔開標(biāo)識(shí)內(nèi)存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2;
-7——PC133 /CL=3;
-8A——PC100/ CL=2;
-8——PC100 /CL=3。
例如一條Kingmax內(nèi)存條，采用16片KSV884T4A0A-7A 的內(nèi)存顆粒制造，其容量計(jì)算為： 64Mbits(兆數(shù)位)×16片/8=128MB(兆字節(jié))。
HYUNDAI(現(xiàn)代)
現(xiàn)代的SDRAM內(nèi)存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以順利的使用它，其SDRAM芯片編號(hào)格式為：HY 5a b cde fg h i j k lm-no
其中HY代表現(xiàn)代的產(chǎn)品;5a表示芯片類型(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM);b代表工作電壓(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V);cde代表容量和刷新速度(16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref);fg代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬(40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位);h代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個(gè)Bank組成(1、2、3分別代表2個(gè)、4個(gè)和8個(gè)Bank，是2的冪次關(guān)系);I代表接口(0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口);j代表內(nèi)核版本(可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新);k代表功耗(L=低功耗芯片，空白=普通芯片);lm代表封裝形式(JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm
TSOP-II);no代表速度(7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕)。
例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現(xiàn)代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4Krefresh cycles/64ms，8是8位輸出，10是2個(gè)Bank，C是第4個(gè)版本的內(nèi)核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100
GM開頭的可能是現(xiàn)代比較老的內(nèi)存顆粒，72V是SDRAM的意思，66后面的8是指內(nèi)存單顆為8MB，8*18=128MB，所以內(nèi)存條是128MB每條的。T7J和T75都是頻率的表示，應(yīng)該是PC133的SD內(nèi)存。T10是PC100的
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