CPU中Intel Haswell是什么
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CPU中Intel Haswell是什么
Intel Haswell是Intel目前正在研發(fā)的微處理器架構，由Intel的俄勒岡團隊負責研發(fā)，用以取代目前的Intel Ivy Bridge和Intel Sandy Bridge。和Ivy Bridge一樣，采用22納米制程根據Intel的“Tick-Tock”策略和產品路線圖，基于Intel Haswell微架構的處理器將于2013年3月至6月之間發(fā)布。Intel曾于2011年的IDF上展示出基于Haswell微架構的芯片。
沿襲自Intel Ivy Bridge/Intel Sandy Bridge的特性
14級管線(從Intel Core微架構開始一直沿用至今);
除了部分極致性能/服務器平臺以外，所有處理器型號均融合Intel HD Graphics顯示核心。
已確認的新特性
制作工藝/制程
更成熟的22納米制程;
更成熟的3D-三柵極晶體管;
多核心
主流級處理器產品全線均為原生四核心;
高速緩存
每核心擁有獨立的64KB的L1高速緩存(32KB數據高速緩存+32KB指令高速緩存);每核心擁有獨立的256KB L2高速緩存;所有核心可共享最高32MB的L3高速緩存.
新的處理器高速緩存設計;
指令集
AVX2指令集(或稱Haswell新指令集，包括矢量聚集散射、比特處理以及對FMA3的支持)
改善AES-IN指令的運行性能;
輸出輸入總線、處理器插座、存儲器界面、芯片組
處理器內部仍然使用QPI總線，單向數據傳送性能有4.8GT/s、5.2GT/s、6.4GT/s乃至8.0GT/s等四種規(guī)格，較低級型號的處理器在芯片組和處理器之間仍然采用DMI總線，單向數據傳送性能有2.5GT/s和5.0GT/s兩種規(guī)格。
新處理器插座：桌面版本的是LGA 1150，流動版本的是rPGA 947和BGA 1364。]Intel明確表示Intel Haswell將不會向下兼容于現有的Intel處理器平臺。
原生支持雙通道DDR3-1600;企業(yè)級的Haswell-EP/EX核心還會支持八通道DDR4;
新的8系列芯片組：
支持USB3.0并最多提供6個連接端口;
支持SATA 6.0Gb/s并提供最多6個連接端口;
優(yōu)化軟盤數據傳送性能，提高數據訪問和響應能力，特別是固態(tài)硬盤;
優(yōu)化Intel智能響應技術及其支持驅動程序;
為固態(tài)硬盤組建的磁盤陣列提供完整的TRIM支持;
Intel Lake Tiny技術改善固態(tài)硬盤和機械硬盤混合組合的傳送性能;
采用32納米制程;
將于2013年第二季度上市，而且Intel明確指出基于Intel Haswell微架構的處理器會像Intel Sandy Bridge微架構的一樣，不會向下兼容于舊有的芯片組。
自帶顯示核心
集成顯示核心將支持 DirectX 11.1以及 OpenGL 3.2。繼續(xù)強化3D圖形處理性能，支持HDMI、DisplayPort、DVI、VGA連接端口標準;支持三屏顯示信號獨立輸出;
新的Intel HD Graphics有三種不同版本的顯示核心，代號分別為GT1、GT2和GT3。GT1擁有6個運行單元以及1組紋理單元，定位入門級;GT2擁有20個運行單元和2組紋理單元，定位主流級;最高級的GT3擁有40個運行單元和4租紋理單元，但僅用于移動平臺。而現任的Intel Ivy Bridge的集成顯示核心最多只有16個運行單元，不過，顯示核心的架構仍然是一樣的，由于在架構、制程不變的情形下大幅提升顯示核心的規(guī)模和規(guī)格，使自帶顯示核心的Intel Haswell微架構的處理器的發(fā)熱量急升，桌面型版本可以突破100瓦，行動版本更達57瓦。
電源管理
處理器芯片將自帶完整的電壓調節(jié)模塊，Intel又一次把主板上的組件集成至處理器上，[19]此舉可令主板的供電設計變得簡單，降低主板廠商的制造主板的制造成本。
新的高級電源管理技術;
流動版本的處理器將有熱設計功耗為25瓦、37瓦、47瓦以及57瓦的型號[7];而桌面版本的則有熱設計功耗為35瓦、45瓦、55瓦、65瓦、77瓦、95瓦以及極致性能(包括高級服務器平臺的)高達100瓦以上TDP的型號，最高達到了Haswell-EP/EX的160瓦，最大通過電流190安培，不過有消息指出，由于增大的顯示核心，主流級和性能級桌面版本處理器的熱設計功耗有可能上揚至105瓦;除了移動平臺、桌面平臺以及服務器平臺以外，Intel還專門為超極致筆電設計了TDP只有15W的版本，而且還將采用多芯片封裝于同一芯片上，類似于Intel Westmere的設計，不同的是這次是將芯片組和處理器集成到一塊處理器基板上。
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