什么是計算機內(nèi)存Bank

什么是計算機內(nèi)存Bank

　　Bank從物理上理解為北橋芯片到內(nèi)存的通道，通常每個通道為64bit。學習啦小編整理了計算機內(nèi)存Bank的相關資料，供大家參考!

　　什么是內(nèi)存Bank?

　　Bank從物理上理解為北橋芯片到內(nèi)存的通道，通常每個通道為64bit。我們知道，一塊主板的性能優(yōu)劣主要取決于它的芯片組。不同的芯片組所支持的Bank是不同的。如Intel 82845系列芯片組支持4個Bank，而SiS的645系列芯片組則能支持6個Bank。如果主板只支持4個Bank，而我們卻用6個Bank的話，那多余的2個Bank就白白地浪費了。

　　也許有人這么認為，單面的內(nèi)存即為1個Bank，雙面的內(nèi)存為2個Bank。這種說法是很片面的，因為單面的內(nèi)存為一個Bank是正確的，但說雙面的內(nèi)存是2個Bank卻是不對的。如現(xiàn)在很流行的DDR SDRAM就不一定。那如何正確區(qū)分呢?

　　方法如下：

　　開機后的第二個畫面可查看到內(nèi)存的Bank信息，圖為雙Bank的SDRAM內(nèi)存.用最小化系統(tǒng)啟動計算機，即只采用主板、CPU、內(nèi)存和顯卡。在開機后的第二個畫面(如圖)按鍵盤上的“Pause”鍵暫停，如果內(nèi)存是SDRAM，我們會看到：

　　sdram at bank：0 此為單bank ,

　　sdram at bank：0，1 此為雙bank .

　　如內(nèi)存是DDR SDRAM，我們則會看到：

　　ddr sdram at bank：0 此為單bank

　　ddr sdram at bank：0，1 此為雙bank

　　簡單吧，這下我們就可以根據(jù)主板量體裁衣了，而不必擔心花冤枉錢買多余的內(nèi)存了。

　　目前市場上的主流主板大都支持4?6個Bank，對于Intel 82845這種支持4個Bank的芯片組來說，我們在選購內(nèi)存時就要多加一分留意。因為現(xiàn)在很多內(nèi)存都是雙Bank的，這意味著在Intel 82845芯片組上我們最多只能使用兩條這樣的內(nèi)存，多了芯片組將無法識別。這里叮當建議大家最好根據(jù)自己的主板所提供的內(nèi)存插槽數(shù)目來選購內(nèi)存，如果您的主板只提供了兩個內(nèi)存插槽，那就不必為內(nèi)存是單Bank還是雙Bank而擔心了。而如果您的主板提供了4個內(nèi)存插槽(同一種規(guī)格)，那么應該盡量購買單Bank或大容量雙Bank的內(nèi)存，以免給日后升級留下不必要的麻煩。

　　筆記本內(nèi)存

　　筆記本的內(nèi)存大體可以分為EDO、SDRAM、DDR三種。幾大知名內(nèi)存廠家及代號：現(xiàn)代電子(Hynix)：HY ，三星(SAMSUNG)：KM或M ，NBM：AAA ，西門子(SIEMENS)：HYB ，高士達LG-SEMICON：GM ，三菱(MITSUBISHI)：M5M ，富士通(FUJITSU)：MB ，摩托羅拉(MOTOROLA)：MCM ，MATSUHITA：MN ，OKI：MSM ，美凱龍(MICRON)：MT ，德州儀器(TMS)：TI ，東芝(TOSHIBA)：TD或TC ，日立(HITACHI)：HM ，STI：TM ，日電(NEC)：UPD ，IBM：BM ，NPNX：NN 。

　　SDRAM內(nèi)存：筆記本經(jīng)歷了Pentium時代，CPU的速度已經(jīng)越來越快，這時Intel公司提出了具有里程碑意義的內(nèi)存技術----SDRAM。SDRAM的全稱是Synchronous Dynamic Random Access Memory(同步動態(tài)隨即存儲器)，就象它的名字所表明的那樣，這種RAM可以使所有的輸入輸出信號保持與系統(tǒng)時鐘同步。由于SDRAM的帶寬為64Bit，因此它只需要一條內(nèi)存就可以工作，數(shù)據(jù)傳輸速度比EDO內(nèi)存至少快了25%。SDRAM包括PC66、PC100、PC133等幾種規(guī)格。

　　DDR內(nèi)存：顧名思義：Double Data Rate(雙倍數(shù)據(jù)傳輸)的SDRAM。隨著臺式機DDR內(nèi)存的推出，現(xiàn)在筆記本電腦也步入了DDR時代，目前有DDR266和DDR333等規(guī)格，現(xiàn)在在主流的采用Pentium4-M、Pentium-M、P4核心賽揚的機器都是采用DDR內(nèi)存，也有少量的Pentium3-M的機器早早跨入DDR時代。其實DDR的原理并不復雜，它讓原來一個脈沖讀取一次資料的SDRAM可以在一個脈沖之內(nèi)讀取兩次資料，也就是脈沖的上升緣和下降緣通道都利用上，因此DDR本質(zhì)上也就是SDRAM。而且相對于EDO和SDRAM，DDR內(nèi)存更加省電(工作電壓僅為2.25V)、單條容量更加大(已經(jīng)可以達到1GB)。

　　EDO內(nèi)存：這種內(nèi)存主要用于古老的MMX和486機型上面，也有部分廠家在PII的筆記本電腦中仍然使用EDO內(nèi)存，這種EDO單條最高容量只有64M，而且由于EDO內(nèi)存的工作電壓為5V和現(xiàn)在常用的SDRAM的3.3V相比更費電一些，所以很快就被SDRAM內(nèi)存所取代。